Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5809
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3282045

1N5809

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
250+
$9.765
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5809
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    875mV @ 4A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Axial
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    30ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    Axial
  • Inne nazwy
    1N5809S
  • Temperatura pracy - złącze
    -
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    46 Weeks
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 6A Through Hole Axial
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    6A
  • Pojemność @ VR F
    60pF @ 5V, 1MHz
1N5806US

1N5806US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5805

1N5805

Opis: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5806TR

1N5806TR

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5812

1N5812

Opis: DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5811

1N5811

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5808

1N5808

Opis: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5807US

1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5806C.TR

1N5806C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5811TR

1N5811TR

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5807US

1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5811US

1N5811US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5811C.TR

1N5811C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5806US

1N5806US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5809US.TR

1N5809US.TR

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5809US

1N5809US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5809US

1N5809US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5807

1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5809

1N5809

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5807

1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5811US

1N5811US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A

Producenci: Semtech
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść