Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > FMY-1036S
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6217783Obraz FMY-1036S.Sanken Electric Co., Ltd.

FMY-1036S

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FMY-1036S
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 3A TO220F-2L
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowe zwolnienie / Zgodność z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.15V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220F-2L
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    200ns
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-2 Full Pack
  • Inne nazwy
    FMY-1036S DK
  • Temperatura pracy - złącze
    -40°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free by exemption / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 3A Through Hole TO-220F-2L
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    -
VS-8EWF06S-M3

VS-8EWF06S-M3

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
FMY-1106S

FMY-1106S

Opis: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
UG1004-T

UG1004-T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
SS25LHMQG

SS25LHMQG

Opis: DIODE SCHOTTKY 50V 2A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
BAQ133-GS08

BAQ133-GS08

Opis: DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S5B-E3/57T

S5B-E3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 5A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
VS-60APF02PBF

VS-60APF02PBF

Opis: DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
FMY1AT148

FMY1AT148

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5SMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
FMY6T148

FMY6T148

Opis: TRANS NPN/PNP 32V 0.05A 5SMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
UF5407-E3/54

UF5407-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RGP10BHM3/54

RGP10BHM3/54

Opis: DIODE SW 1A 100V 150NS DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
FMY5T148

FMY5T148

Opis: TRANS NPN/PNP 120V 0.05A 5SMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
FFSH20120A-F085

FFSH20120A-F085

Opis: 1200V 20A AUTO SIC SBD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
FMY4AT148

FMY4AT148

Opis: TRANS NPN/PNP DARL 50V 5SMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RB168VYM150FHTR

RB168VYM150FHTR

Opis: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
S3DB

S3DB

Opis: DIODE GP 200V 3A SMB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
NSR10F20NXT5G

NSR10F20NXT5G

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 1A 2DSN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RB521AS-30T2R

RB521AS-30T2R

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA VML2

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
SK33BHR5G

SK33BHR5G

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
VS-50WQ03FNTRR-M3

VS-50WQ03FNTRR-M3

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść