Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > PMIC - przełączniki dystrybucyjne, sterowniki obci > VND810-E
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1123522

VND810-E

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$1.476
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    VND810-E
  • Producent / marka
    STMicroelectronics
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRIVER HIGH SIDE 2CH 16-SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    VND810-E.pdf
  • Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd)
    Not Required
  • Napięcie - Obciążenie
    5.5 V ~ 36 V
  • Typ przełącznika
    General Purpose
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    16-SO
  • Seria
    VIPower™
  • Rds On (Typ)
    160 mOhm (Max)
  • Ratio - Wejście: Wyjście
    1:1
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Typ wyjścia
    N-Channel
  • Konfiguracja wyjściowa
    High Side
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Liczba wyjść
    2
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Berło
    On/Off
  • Typ wejścia
    Non-Inverting
  • cechy
    Auto Restart, Status Flag
  • Ochrona usterek
    Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
  • Obecny - Wyjście (Max)
    3.5A
  • Podstawowy numer części
    VND810

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „VND810-E”.
VND810PEP-E

VND810PEP-E

Opis: IC DRIVER HI SIDE 2CH POWERSSO12

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND7N04-E

VND7N04-E

Opis: MOSFET OMNIFET 42V 7A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND7NV04

VND7NV04

Opis: MOSFET N-CH 40V 6A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND810MSP13TR

VND810MSP13TR

Opis: IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND81013TR

VND81013TR

Opis: IC DRVR HISIDE 2CH 16-SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND810MSP

VND810MSP

Opis: IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND810PEPTR-E

VND810PEPTR-E

Opis: IC DRIVER HI SIDE 2CH POWERSSO12

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND7N04TR-E

VND7N04TR-E

Opis: MOSFET OMNIFET 42V 7A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND7NV04-1

VND7NV04-1

Opis: MOSFET POWER 40V 6A IPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND810SP-E

VND810SP-E

Opis: IC DVR HI SIDE 2CH 3.5A PWRSO10

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND810MSP-E

VND810MSP-E

Opis: IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSO10

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND810MSPTR-E

VND810MSPTR-E

Opis: IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSO10

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND7NV04-1-E

VND7NV04-1-E

Opis: MOSFET OMNIFETII 40V 6A IPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND7NV04TR-E

VND7NV04TR-E

Opis: MOSFET POWER 40V 6A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND810PTR-E

VND810PTR-E

Opis: IC DRIVER HIGH SIDE SW 16-SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND7N0413TR

VND7N0413TR

Opis: MOSFET N-CH 40V 6A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND810SP

VND810SP

Opis: IC DRIVER 2CH HI-SIDE POWERSO-10

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND810

VND810

Opis: IC DRVR HISIDE 2CH 16-SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND7NV0413TR

VND7NV0413TR

Opis: MOSFET POWER 40V 6A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
VND7NV04-E

VND7NV04-E

Opis: MOSFET N-CH 40V 6A TO252

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.