Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > STW62N65M5
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2254848Obraz STW62N65M5.STMicroelectronics

STW62N65M5

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$16.24
30+
$13.659
120+
$12.551
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    STW62N65M5
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 650V TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±25V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ V
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    49 mOhm @ 23A, 10V
  • Strata mocy (max)
    330W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    497-13890-5
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    42 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    6420pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    142nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    650V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 650V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-247
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    46A (Tc)
STW60NE10

STW60NE10

Opis: MOSFET N-CH 100V 60A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW58N60DM2AG

STW58N60DM2AG

Opis: MOSFET N-CH 600V 50A

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW68N60M6

STW68N60M6

Opis: N-CHANNEL 600V M6 POWER MOSFET

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW60N65M5

STW60N65M5

Opis: MOSFET N-CH 650V 46A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW65N65DM2AG

STW65N65DM2AG

Opis: MOSFET N-CH 650V 60A

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW69N65M5-4

STW69N65M5-4

Opis: MOSFET N-CH 650V 58A TO-247-4

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW6N95K5

STW6N95K5

Opis: MOSFET N-CH 950V 9A TO-274

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW58N65DM2AG

STW58N65DM2AG

Opis: MOSFET N-CH 650V 48A

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW57N65M5-4

STW57N65M5-4

Opis: MOSFET N CH 650V 42A TO247-4

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW6N120K3

STW6N120K3

Opis: MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW63N65DM2

STW63N65DM2

Opis: MOSFET

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW69N65M5

STW69N65M5

Opis: MOSFET N-CH 650V 58A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW65N80K5

STW65N80K5

Opis: MOSFET N-CH 800V 46A

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW60NM50N

STW60NM50N

Opis: MOSFET N CH 500V 68A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW56N65M2-4

STW56N65M2-4

Opis: MOSFET N-CH 650V I2PAKFP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW5NK100Z

STW5NK100Z

Opis: MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW57N65M5

STW57N65M5

Opis: MOSFET N-CH 650V 42A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW6N90K5

STW6N90K5

Opis: N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW56NM60N

STW56NM60N

Opis: MOSFET N CH 600V 45A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW62NM60N

STW62NM60N

Opis: MOSFET N-CH 600V 65A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść