Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > STW45NM60
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
462044Obraz STW45NM60.STMicroelectronics

STW45NM60

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$13.28
30+
$11.169
120+
$10.264
510+
$8.754
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    STW45NM60
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 650V 45A TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247-3
  • Seria
    MDmesh™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    110 mOhm @ 22.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    417W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    497-2768-5
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    42 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3800pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    134nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    650V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 650V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    45A (Tc)
STW42N60M2-EP

STW42N60M2-EP

Opis: MOSFET N-CH 600V 34A EP TO247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW43NM60ND

STW43NM60ND

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW48N60M2

STW48N60M2

Opis: MOSFET N-CH 600V 42A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW45N65M5

STW45N65M5

Opis: MOSFET N-CH 650V 35A TO247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW52NK25Z

STW52NK25Z

Opis: MOSFET N-CH 250V 52A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW50NB20

STW50NB20

Opis: MOSFET N-CH 200V 50A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW48N60M2-4

STW48N60M2-4

Opis: MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW43N60DM2

STW43N60DM2

Opis: MOSFET N-CH 600V 34A

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW46NF30

STW46NF30

Opis: MOSFET N-CH 300V 42A TO247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW43NM50N

STW43NM50N

Opis: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW48NM60N

STW48NM60N

Opis: MOSFET N-CH 600V 39A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW45N60DM2AG

STW45N60DM2AG

Opis: MOSFET N-CH 600V 34A

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW45NM50

STW45NM50

Opis: MOSFET N-CH 500V 45A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW48N60DM2

STW48N60DM2

Opis: MOSFET N-CH 600V 40A

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW42N65M5

STW42N65M5

Opis: MOSFET N-CH 650V 33A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW45NM50FD

STW45NM50FD

Opis: MOSFET N-CH 500V 45A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW50N65DM2AG

STW50N65DM2AG

Opis: MOSFET N-CH 650V 28A

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW4N150

STW4N150

Opis: MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW47NM60ND

STW47NM60ND

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STW43NM60N

STW43NM60N

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO-247

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść