Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > STS30N3LLH6
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1692170Obraz STS30N3LLH6.STMicroelectronics

STS30N3LLH6

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$3.19
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    STS30N3LLH6
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    DeepGATE™, STripFET™ VI
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.4 mOhm @ 15A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.7W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    497-10008-1
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4040pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    40nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 30A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)
STS4DNF30L

STS4DNF30L

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STS4DNFS30

STS4DNFS30

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STS4DNF60

STS4DNF60

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STS35-DIS

STS35-DIS

Opis: SENSOR DIGITAL 20C-60C 8TDFN

Producenci: Sensirion
Na stanie
STS3DPF60L

STS3DPF60L

Opis: MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STS2400PC

STS2400PC

Opis: SWITCH SLIDE DP4T 300MA 125V

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
STS250PC

STS250PC

Opis: SWITCH SLIDE DP5T 300MA 125V

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
STS240PC

STS240PC

Opis: SWITCH SLIDE DP4T 300MA 125V

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
STS2DPFS20V

STS2DPFS20V

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STS25NH3LL

STS25NH3LL

Opis: MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STS2DNF30L

STS2DNF30L

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STS25NH3LL-E

STS25NH3LL-E

Opis: MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STS3DNE60L

STS3DNE60L

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STS3C2F100

STS3C2F100

Opis: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STS3P6F6

STS3P6F6

Opis: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STS4DNF60L

STS4DNF60L

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STS26N3LLH6

STS26N3LLH6

Opis: MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STS260PC

STS260PC

Opis: SWITCH SLIDE DP6T 300MA 125V

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
STS4C3F60L

STS4C3F60L

Opis: MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STS2DPF80

STS2DPF80

Opis: MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść