Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > STD14NM50N
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6625592Obraz STD14NM50N.STMicroelectronics

STD14NM50N

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$3.71
10+
$3.317
100+
$2.72
500+
$2.202
1000+
$1.857
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    STD14NM50N
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 12A DPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 100µA
  • Vgs (maks.)
    ±25V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DPAK
  • Seria
    MDmesh™ II
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    320 mOhm @ 6A, 10V
  • Strata mocy (max)
    90W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    497-10646-1
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    816pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 500V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)
STD13N60M2

STD13N60M2

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD155N3H6

STD155N3H6

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD130N6F7

STD130N6F7

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 80A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD13NM60ND

STD13NM60ND

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD150NH02LT4

STD150NH02LT4

Opis: MOSFET N-CH 24V 150A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD140N6F7

STD140N6F7

Opis: N-CHANNEL 60 V, 0.0031 OHM TYP.,

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD13N65M2

STD13N65M2

Opis: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD155N3LH6

STD155N3LH6

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD13N60DM2

STD13N60DM2

Opis: N-CHANNEL 600 V, 0.310 OHM TYP.,

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD150N3LLH6

STD150N3LLH6

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD150NH02L-1

STD150NH02L-1

Opis: MOSFET N-CH 24V 150A IPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD13N50DM2AG

STD13N50DM2AG

Opis: POWER TRANSISTORS

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD134N4F7AG

STD134N4F7AG

Opis: MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD150N2LH5

STD150N2LH5

Opis: MOSFET N-CH DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD15N60M2-EP

STD15N60M2-EP

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD15N50M2AG

STD15N50M2AG

Opis: MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD13NM50N

STD13NM50N

Opis: MOSFET N-CH 500V DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD15N65M5

STD15N65M5

Opis: MOSFET N CH 650V 11A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD14NM50NAG

STD14NM50NAG

Opis: MOSFET

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD13NM60N

STD13NM60N

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść