Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > STD10P10F6
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2196750Obraz STD10P10F6.STMicroelectronics

STD10P10F6

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.435
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    STD10P10F6
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 100V 10A
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DPAK
  • Seria
    STripFET™ F6
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    180 mOhm @ 5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    40W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    497-16300-2
  • temperatura robocza
    175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    864pF @ 80V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    16.5nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 100V 10A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    10A (Tc)
STD11N65M2

STD11N65M2

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD110NH02LT4

STD110NH02LT4

Opis: MOSFET N-CH 24V 80A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD10NF10T4

STD10NF10T4

Opis: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD10NF30

STD10NF30

Opis: MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD110N8F6

STD110N8F6

Opis: MOSFET N-CH 80V 80A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD10NM60N

STD10NM60N

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD110N02RT4G-VF01

STD110N02RT4G-VF01

Opis: MOSFET N-CH 24V 32A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
STD10NM50N

STD10NM50N

Opis: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD10P6F6

STD10P6F6

Opis: MOSFET P CH 60V 10A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD1060TR

STD1060TR

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V DPAK

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
STD11N60DM2

STD11N60DM2

Opis: N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD10NM65N

STD10NM65N

Opis: MOSFET N-CH 650V 9A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD10PF06-1

STD10PF06-1

Opis: MOSFET P-CH 60V 10A IPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD11N60M2-EP

STD11N60M2-EP

Opis: N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP.,

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD10LN80K5

STD10LN80K5

Opis: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD10N60DM2

STD10N60DM2

Opis: N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD10PF06T4

STD10PF06T4

Opis: MOSFET P-CH 60V 10A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD10N60M2

STD10N60M2

Opis: MOSFET N-CH 600V DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD10NM60ND

STD10NM60ND

Opis: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
STD11N50M2

STD11N50M2

Opis: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść