Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > PMIC - Zarządzanie bateriami > S-8261ABNMD-G3NT2U
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3878278

S-8261ABNMD-G3NT2U

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.334
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S-8261ABNMD-G3NT2U
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC BATT PROTECTION
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-23-6
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOT-23-6
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Ilość ogniw
    1
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Berło
    -
  • Funkcjonować
    Battery Protection
  • Ochrona usterek
    Over Current, Short Circuit
  • szczegółowy opis
    Battery Battery Protection IC Lithium Ion/Polymer SOT-23-6
  • Chemia baterii
    Lithium Ion/Polymer
S-8261ABSMD-G3ST2U

S-8261ABSMD-G3ST2U

Opis: IC BATT PROTECTION

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABRMD-G3RT2G

S-8261ABRMD-G3RT2G

Opis: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABLMD-G3LT2U

S-8261ABLMD-G3LT2U

Opis: IC BATT PROTECTION

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABNMD-G3NT2G

S-8261ABNMD-G3NT2G

Opis: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABYMD-G3YT2G

S-8261ABYMD-G3YT2G

Opis: IC BATT PROTECTION

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABPMD-G3PT2U

S-8261ABPMD-G3PT2U

Opis: IC BATT PROTECTION

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABLMD-G3LT2G

S-8261ABLMD-G3LT2G

Opis: IC BATT PROTECTION

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABKMD-G3KT2U

S-8261ABKMD-G3KT2U

Opis: IC BATT PROTECTION

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABRMD-G3RT2U

S-8261ABRMD-G3RT2U

Opis: IC BATT PROTECTION

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABMMD-G3MT2G

S-8261ABMMD-G3MT2G

Opis: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABTMD-G3TT2G

S-8261ABTMD-G3TT2G

Opis: IC BATT PROTECTION

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABLBD-G3LTFG

S-8261ABLBD-G3LTFG

Opis: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABMMD-G3MT2U

S-8261ABMMD-G3MT2U

Opis: IC BATT PROTECTION

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABJMD-G3JT2U

S-8261ABJMD-G3JT2U

Opis: IC BATT PROTECTION

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABTMD-G3TT2U

S-8261ABTMD-G3TT2U

Opis: IC BATT PROTECTION

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABSMD-G3ST2G

S-8261ABSMD-G3ST2G

Opis: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABOBD-G3OTFG

S-8261ABOBD-G3OTFG

Opis: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABJMD-G3JT2G

S-8261ABJMD-G3JT2G

Opis: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABPMD-G3PT2G

S-8261ABPMD-G3PT2G

Opis: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie
S-8261ABKMD-G3KT2G

S-8261ABKMD-G3KT2G

Opis: IC LI-ION BATT PROTECT SOT23-6

Producenci: SII Semiconductor Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść