Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > R1LP0108ESN-5SI#B0
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6953255

R1LP0108ESN-5SI#B0

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$7.27
10+
$6.637
25+
$6.51
50+
$6.466
100+
$5.80
250+
$5.778
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    R1LP0108ESN-5SI#B0
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Podział
    32-SOP
  • standardy
    Volatile
  • Oprogramowanie
    1Mb (128K x 8)
  • Shell Style
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Tube
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    55ns
  • Polaryzacja
    32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
  • Izolacja wyjście
    SRAM
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Numer części producenta
    R1LP0108ESN-5SI#B0
  • Berło
    Parallel
  • Opis
    IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP
R1LP0108ESN-7SI#S0

R1LP0108ESN-7SI#S0

Opis: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0408DSB-5SI#S1

R1LP0408DSB-5SI#S1

Opis: IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0408DSB-5SI#S0

R1LP0408DSB-5SI#S0

Opis: IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0108ESN-7SR#S0

R1LP0108ESN-7SR#S0

Opis: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0408DSP-5SI#S0

R1LP0408DSP-5SI#S0

Opis: IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0408DSP-7SR#B0

R1LP0408DSP-7SR#B0

Opis: IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0108ESA-5SI#B0

R1LP0108ESA-5SI#B0

Opis: IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0108ESF-5SI#B1

R1LP0108ESF-5SI#B1

Opis: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0408DSP-7SI#S0

R1LP0408DSP-7SI#S0

Opis: IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0408DSP-7SI#B0

R1LP0408DSP-7SI#B0

Opis: IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0108ESA-5SI#S1

R1LP0108ESA-5SI#S1

Opis: IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0108ESF-5SI#S1

R1LP0108ESF-5SI#S1

Opis: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0108ESF-5SI#S0

R1LP0108ESF-5SI#S0

Opis: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0408DSP-5SI#B0

R1LP0408DSP-5SI#B0

Opis: IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0408DSB-5SI#B0

R1LP0408DSB-5SI#B0

Opis: IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0408DSB-5SI#B1

R1LP0408DSB-5SI#B1

Opis: IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0108ESA-5SI#S0

R1LP0108ESA-5SI#S0

Opis: IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0108ESA-5SI#B1

R1LP0108ESA-5SI#B1

Opis: IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0108ESN-5SI#S0

R1LP0108ESN-5SI#S0

Opis: IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
R1LP0108ESF-5SI#B0

R1LP0108ESF-5SI#B0

Opis: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść