Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > H7N1002LSTL-E
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
656320Obraz H7N1002LSTL-E.Renesas Electronics America

H7N1002LSTL-E

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    H7N1002LSTL-E
  • Producent / marka
    Renesas Electronics Corporation
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V LDPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    H7N1002LSTL-E.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    4-LDPAK
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    10 mOhm @ 37.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    100W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC-83
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    9700pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    155nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 75A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    75A (Ta)

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

2024/10/28

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

2024/10/7
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „H7N1002LSTL-E”.
CTLDM7003-M621 TR

CTLDM7003-M621 TR

Opis: MOSFET N-CH 50V DFN6

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPB160N08S403ATMA1

IPB160N08S403ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RTQ020N05TR

RTQ020N05TR

Opis: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMN6069SFG-7

DMN6069SFG-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FQI5N60CTU

FQI5N60CTU

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMN3023L-13

DMN3023L-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IRF7809AV

IRF7809AV

Opis: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
CSD25211W1015

CSD25211W1015

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
STH210N75F6-2

STH210N75F6-2

Opis: MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
SI4420DYTR

SI4420DYTR

Opis: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STFI6N65K3

STFI6N65K3

Opis: MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 21A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IXFY8N65X2

IXFY8N65X2

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTQ96N25T

IXTQ96N25T

Opis: MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IRF7210TRPBF

IRF7210TRPBF

Opis: MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPI08CN10N G

IPI08CN10N G

Opis: MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SI1303DL-T1-GE3

SI1303DL-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IPD200N15N3GBTMA1

IPD200N15N3GBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
H7N1002LS-E

H7N1002LS-E

Opis: MOSFET N-CH 100V LDPAK

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
IRL640SPBF

IRL640SPBF

Opis: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.