Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > 2SK1859-E
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1934756Obraz 2SK1859-E.Renesas Electronics America

2SK1859-E

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    2SK1859-E
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-3P
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3 Ohm @ 3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    60W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-3P-3, SC-65-3
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    980pF @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    900V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 900V 6A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-3P
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta)
2SK208-GR(TE85L,F)

2SK208-GR(TE85L,F)

Opis: MOSFET N-CH S-MINI FET

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK1775-E

2SK1775-E

Opis: MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
2SK1518-E

2SK1518-E

Opis: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
2SK1829TE85LF

2SK1829TE85LF

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.05A USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK209-Y(TE85L,F)

2SK209-Y(TE85L,F)

Opis: JFET N-CH SOT23

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK1828TE85LF

2SK1828TE85LF

Opis: MOSFET N-CH 20V 50MA S-MINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK2009TE85LF

2SK2009TE85LF

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK1342-E

2SK1342-E

Opis: MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
2SK1445LS-V-1EX

2SK1445LS-V-1EX

Opis: TRANSISTER

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
2SK1374G0L

2SK1374G0L

Opis: MOSFET N-CH 50V .05A SMINI-3

Producenci: Panasonic
Na stanie
2SK2034TE85LF

2SK2034TE85LF

Opis: MOSFET N-CH 20V 100MA USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK208-R(TE85L,F)

2SK208-R(TE85L,F)

Opis: MOSFET N-CH 50V S-MINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK1835-E

2SK1835-E

Opis: MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
2SK208-Y(TE85L,F)

2SK208-Y(TE85L,F)

Opis: MOSFET N-CH 50V S-MINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK209-BL(TE85L,F)

2SK209-BL(TE85L,F)

Opis: JFET N-CH SOT23

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK2035(T5L,F,T)

2SK2035(T5L,F,T)

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK137400L

2SK137400L

Opis: MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3

Producenci: Panasonic
Na stanie
2SK209-GR(TE85L,F)

2SK209-GR(TE85L,F)

Opis: JFET N-CH SOT23

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK208-O(TE85L,F)

2SK208-O(TE85L,F)

Opis: MOSFET N-CH S-MINI FET

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK1341-E

2SK1341-E

Opis: MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść