Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > R6021025HSYA
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
284300

R6021025HSYA

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
30+
$75.524
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    R6021025HSYA
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    2V @ 800A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1000V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-205AB, DO-9
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    1µs
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Temperatura pracy - złącze
    -45°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Chassis, Stud Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 1000V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    50mA @ 1000V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    250A
  • Pojemność @ VR F
    -
R6020KNJTL

R6020KNJTL

Opis: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6024ENJTL

R6024ENJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6021425HSYA

R6021425HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
R6024ENZ1C9

R6024ENZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6020ENZ1C9

R6020ENZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Producenci: Rohm Semiconductor
Na stanie
R6020FNJTL

R6020FNJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
R6020FNX

R6020FNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6021222PSYA

R6021222PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
R6021435ESYA

R6021435ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
R6024ENZC8

R6024ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6020ENX

R6020ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6020KNZC8

R6020KNZC8

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6021235ESYA

R6021235ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
R6021225HSYA

R6021225HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

Opis: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6021022PSYA

R6021022PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
R6024ENX

R6024ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6020ENZC8

R6020ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
R6020KNX

R6020KNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść