Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > QJD1210SA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2225792

QJD1210SA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    QJD1210SA1
  • Producent / marka
    Powerex, Inc.
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.QJD1210SA1.pdf
    2.QJD1210SA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.6V @ 34mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Module
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    17 mOhm @ 100A, 15V
  • Moc - Max
    520W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    Module
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    8200pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    330nC @ 15V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 520W Chassis Mount Module
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „QJD1210SA1”.
DMG6898LSDQ-13

DMG6898LSDQ-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FW217A-TL-2W

FW217A-TL-2W

Opis: MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ALD111933SAL

ALD111933SAL

Opis: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Producenci: Advanced Linear Devices, Inc.
Na stanie
RFQ
QJD1210011

QJD1210011

Opis: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
AON5816

AON5816

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 12A 6DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
AOC2802

AOC2802

Opis: MOSFET 2N-CH 4WLCSP

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
QJD1210SA2

QJD1210SA2

Opis: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
FDS6993

FDS6993

Opis: MOSFET 2P-CH 30V/12V 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTLJD3115PTAG

NTLJD3115PTAG

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SIA920DJ-T1-GE3

SIA920DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
QJD1210010

QJD1210010

Opis: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7

Opis: MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SI7844DP-T1-GE3

SI7844DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRF7328TRPBF

IRF7328TRPBF

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
NVMFD5C446NLT1G

NVMFD5C446NLT1G

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
QJD1210SB1

QJD1210SB1

Opis: MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
AO4822_101

AO4822_101

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
DMPH6050SPDQ-13

DMPH6050SPDQ-13

Opis: MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SP8M70TB1

SP8M70TB1

Opis: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.