Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > PHK13N03LT,518
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4809397

PHK13N03LT,518

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
10000+
$0.177
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    PHK13N03LT,518
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-SOIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    TrenchMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    20 mOhm @ 8A, 10V
  • Strata mocy (max)
    6.25W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    934057754518
    PHK13N03LT /T3
    PHK13N03LT /T3-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    2 (1 Year)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    752pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    10.7nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 13.8A (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    13.8A (Tc)
PHK12NQ03LT,518

PHK12NQ03LT,518

Opis: MOSFET N-CH 30V 11.8A SOT96

Producenci: Nexperia
Na stanie
PHK3

PHK3

Opis: LATCH HANDLE PADLOCKING 3PT

Producenci: Hammond Manufacturing
Na stanie
PHKD6N02LT,518

PHKD6N02LT,518

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1

Producenci: Nexperia
Na stanie
PHKL3

PHKL3

Opis: LATCH HANDLE PADLOCKING 3PT

Producenci: Hammond Manufacturing
Na stanie
PHK12NQ10T,518

PHK12NQ10T,518

Opis: MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
PHK4NQ20T,518

PHK4NQ20T,518

Opis: MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
PHK24NQ04LT,518

PHK24NQ04LT,518

Opis: MOSFET N-CH 40V 21.2A 8-SOIC

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
PHKL2

PHKL2

Opis: LATCH HANDLE PADLOCKING 3PT

Producenci: Hammond Manufacturing
Na stanie
PHKL1

PHKL1

Opis: LATCH HANDLE PADLOCKING 1PT

Producenci: Hammond Manufacturing
Na stanie
PHK4NQ10T,518

PHK4NQ10T,518

Opis: MOSFET N-CH 100V SOT96-1

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
PHKD3NQ10T,518

PHKD3NQ10T,518

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

Producenci: Nexperia
Na stanie
PHK18NQ03LT,518

PHK18NQ03LT,518

Opis: MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC

Producenci: Nexperia
Na stanie
PHK28NQ03LT,518

PHK28NQ03LT,518

Opis: MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
PHK2

PHK2

Opis: LATCH HANDLE PADLOCKING 3PT

Producenci: Hammond Manufacturing
Na stanie
PHKD13N03LT,518

PHKD13N03LT,518

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

Producenci: Nexperia
Na stanie
PHK31NQ03LT,518

PHK31NQ03LT,518

Opis: MOSFET N-CH 30V 30.4A 8-SOIC

Producenci: Nexperia
Na stanie
PHK1

PHK1

Opis: LATCH HANDLE PADLOCKING 1PT

Producenci: Hammond Manufacturing
Na stanie
PHKD13N03LT,118

PHKD13N03LT,118

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

Producenci: Nexperia
Na stanie
PHK04P02T,518

PHK04P02T,518

Opis: MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC

Producenci: Nexperia
Na stanie
PHK5NQ15T,518

PHK5NQ15T,518

Opis: MOSFET N-CH 150V 5A SOT96-1

Producenci: Nexperia
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść