Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > BUK6D120-60PX
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
148953Obraz BUK6D120-60PX.Nexperia

BUK6D120-60PX

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.223
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BUK6D120-60PX
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DFN2020MD-6
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    120 mOhm @ 3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.3W (Ta), 15W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-UDFN Exposed Pad
  • Inne nazwy
    1727-8337-2
    934660343115
    BUK6D120-60PX-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    724pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 3A (Ta), 8A (Tc) 2.3W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta), 8A (Tc)
BUK6C2R1-55C,118

BUK6C2R1-55C,118

Opis: MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK662R7-55C,118

BUK662R7-55C,118

Opis: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK664R6-40C,118

BUK664R6-40C,118

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK6E3R4-40C,127

BUK6E3R4-40C,127

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK663R5-30C,118

BUK663R5-30C,118

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK6D43-40PX

BUK6D43-40PX

Opis: MOSFET P-CH 40V 6A 6DFN2020MD

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK6E4R0-75C,127

BUK6E4R0-75C,127

Opis: MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK663R7-75C,118

BUK663R7-75C,118

Opis: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK6E3R2-55C,127

BUK6E3R2-55C,127

Opis: MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK6Y15-40PX

BUK6Y15-40PX

Opis: BUK6Y15-40P/SOT669/LFPAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK663R2-40C,118

BUK663R2-40C,118

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK6Y12-30PX

BUK6Y12-30PX

Opis: BUK6Y12-30P/SOT669/LFPAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK6E2R0-30C,127

BUK6E2R0-30C,127

Opis: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK663R5-55C,118

BUK663R5-55C,118

Opis: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK6D23-40EX

BUK6D23-40EX

Opis: BUK6D23-40E/SOT1220/SOT1220

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK6D43-60EX

BUK6D43-60EX

Opis: MOSFET N-CH 60V 5A 6DFN2020MD

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK664R8-75C,118

BUK664R8-75C,118

Opis: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK664R4-55C,118

BUK664R4-55C,118

Opis: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK6E2R3-40C,127

BUK6E2R3-40C,127

Opis: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
BUK6C3R3-75C,118

BUK6C3R3-75C,118

Opis: MOSFET N-CH 75V 181A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść