Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > UES1104
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4815181Obraz UES1104.Microsemi

UES1104

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$26.52
10+
$24.534
100+
$20.953
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    UES1104
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    UES1104.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.25V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    200V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    -
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    50ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    A, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 200V 1A Through Hole
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    -

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „UES1104”.
UES1103

UES1103

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UES0J470MEM1TD

UES0J470MEM1TD

Opis: CAP ALUM 47UF 20% 6.3V RADIAL

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
UES1306

UES1306

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UES0J471MPM1TO

UES0J471MPM1TO

Opis: CAP ALUM 470UF 20% 6.3V RADIAL

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
UES0J471MHM

UES0J471MHM

Opis: CAP ALUM 470UF 20% 6.3V RADIAL

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
UES1A101MPM

UES1A101MPM

Opis: CAP ALUM 100UF 20% 10V RADIAL

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
UES1306SM

UES1306SM

Opis: RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UES1305

UES1305

Opis: DIODE GEN PURP 300V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UES0J470MEM1TA

UES0J470MEM1TA

Opis: CAP ALUM 47UF 20% 6.3V RADIAL

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
UES1306HR2

UES1306HR2

Opis: RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UES1106

UES1106

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UES1103SM

UES1103SM

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UES1305SM

UES1305SM

Opis: RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UES0J471MPM

UES0J471MPM

Opis: CAP ALUM 470UF 20% 6.3V RADIAL

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
UES1302

UES1302

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UES1303

UES1303

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UES1002

UES1002

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
UES0J471MPM1TD

UES0J471MPM1TD

Opis: CAP ALUM 470UF 20% 6.3V THRUHOLE

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
UES1A101MPM1TD

UES1A101MPM1TD

Opis: CAP ALUM 100UF 20% 10V RADIAL

Producenci: Nichicon
Na stanie
RFQ
UES1102SM

UES1102SM

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.