Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MXSMLJ58AE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2825911Obraz MXSMLJ58AE3.Microsemi

MXSMLJ58AE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$18.513
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MXSMLJ58AE3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 58V 93.6V DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MXSMLJ58AE3.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    58V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    93.6V
  • Napięcie - podziały (min)
    64.4V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    3000W (3kW)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Inne nazwy
    1086-15064
    1086-15064-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    32A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Aplikacje
    General Purpose

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MXSMLJ58AE3”.
MXSMLJ6.0A

MXSMLJ6.0A

Opis: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMLJ6.0CA/TR

MXSMLJ6.0CA/TR

Opis: HI REL TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMLJ58A

MXSMLJ58A

Opis: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMLJ6.0CAE3/TR

MXSMLJ6.0CAE3/TR

Opis: HI REL TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMLJ54CA

MXSMLJ54CA

Opis: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMLJ6.5A

MXSMLJ6.5A

Opis: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMLJ51CA/TR

MXSMLJ51CA/TR

Opis: HI REL TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMLJ58CA

MXSMLJ58CA

Opis: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMLJ51CA

MXSMLJ51CA

Opis: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMLJ58CAE3

MXSMLJ58CAE3

Opis: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMLJ58A/TR

MXSMLJ58A/TR

Opis: HI REL TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMLJ54AE3

MXSMLJ54AE3

Opis: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMLJ54A

MXSMLJ54A

Opis: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMLJ54A/TR

MXSMLJ54A/TR

Opis: HI REL TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMLJ54CAE3

MXSMLJ54CAE3

Opis: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMLJ6.0CAE3

MXSMLJ6.0CAE3

Opis: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMLJ6.0AE3

MXSMLJ6.0AE3

Opis: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMLJ6.0CA

MXSMLJ6.0CA

Opis: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMLJ51CAE3

MXSMLJ51CAE3

Opis: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMLJ58CA/TR

MXSMLJ58CA/TR

Opis: HI REL TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.