Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MXSMCJ20AE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6816798Obraz MXSMCJ20AE3.Microsemi Corporation

MXSMCJ20AE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$17.84
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MXSMCJ20AE3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MXSMCJ20AE3.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    1
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    22.2V
  • Napięcie - podziały (min)
    20V
  • Napięcie - Podział
    DO-214AB (SMCJ)
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    1500W (1.5kW)
  • Moc - Peak Pulse
    46.3A
  • Polaryzacja
    DO-214AB, SMC
  • Inne nazwy
    1086-14550
    1086-14550-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    MXSMCJ20AE3
  • Opis
    TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    32.4V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MXSMCJ20AE3”.
MXSMCJ18AE3

MXSMCJ18AE3

Opis: TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMCJ20CAE3

MXSMCJ20CAE3

Opis: TVS DIODE 20V 32.4V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ24A

MXSMCJ24A

Opis: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMCJ18A

MXSMCJ18A

Opis: TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMCJ24AE3/TR

MXSMCJ24AE3/TR

Opis: HI REL TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ17CA

MXSMCJ17CA

Opis: TVS DIODE 17V 27.6V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ24A/TR

MXSMCJ24A/TR

Opis: HI REL TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ17CAE3

MXSMCJ17CAE3

Opis: TVS DIODE 17V 27.6V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ18CAE3

MXSMCJ18CAE3

Opis: TVS DIODE 18V 29.2V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ20CA

MXSMCJ20CA

Opis: TVS DIODE 20V 32.4V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ22CAE3

MXSMCJ22CAE3

Opis: TVS DIODE 22V 35.5V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ20A

MXSMCJ20A

Opis: TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMCJ17A

MXSMCJ17A

Opis: TVS DIODE 17VWM 27.6VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMCJ18CA

MXSMCJ18CA

Opis: TVS DIODE 18V 29.2V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ170CAE3

MXSMCJ170CAE3

Opis: TVS DIODE 170V 275V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ22A

MXSMCJ22A

Opis: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMCJ17AE3

MXSMCJ17AE3

Opis: TVS DIODE 17VWM 27.6VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMCJ24AE3

MXSMCJ24AE3

Opis: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMCJ22CA

MXSMCJ22CA

Opis: TVS DIODE 22V 35.5V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCJ22AE3

MXSMCJ22AE3

Opis: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.