Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MXSMCGLCE7.5AE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6471532

MXSMCGLCE7.5AE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MXSMCGLCE7.5AE3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO215AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MXSMCGLCE7.5AE3.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    1
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    8.33V
  • Napięcie - podziały (min)
    7.5V
  • Napięcie - Podział
    SMCG (DO-215AB)
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    1500W (1.5kW)
  • Moc - Peak Pulse
    100A
  • Polaryzacja
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Inne nazwy
    1086-14470
    1086-14470-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    MXSMCGLCE7.5AE3
  • Opis
    TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO215AB
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    12.9V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    100pF @ 1MHz
  • Kanały dwukierunkowe
    No

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MXSMCGLCE7.5AE3”.
MXSMCGLCE64AE3

MXSMCGLCE64AE3

Opis: TVS DIODE 64V 103V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE7.0AE3

MXSMCGLCE7.0AE3

Opis: TVS DIODE 7VWM 12VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE7.5A

MXSMCGLCE7.5A

Opis: TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE58AE3

MXSMCGLCE58AE3

Opis: TVS DIODE 58V 93.6V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE60AE3

MXSMCGLCE60AE3

Opis: TVS DIODE 60V 96.8V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE70A

MXSMCGLCE70A

Opis: TVS DIODE 70V 113V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE64A

MXSMCGLCE64A

Opis: TVS DIODE 64V 103V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE60A

MXSMCGLCE60A

Opis: TVS DIODE 60V 96.8V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE75A

MXSMCGLCE75A

Opis: TVS DIODE 75V 121V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE8.5A

MXSMCGLCE8.5A

Opis: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE8.0AE3

MXSMCGLCE8.0AE3

Opis: TVS DIODE 8V 13.6V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE6.5AE3

MXSMCGLCE6.5AE3

Opis: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE70AE3

MXSMCGLCE70AE3

Opis: TVS DIODE 70V 113V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE80AE3

MXSMCGLCE80AE3

Opis: TVS DIODE 80V 129V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE8.5AE3

MXSMCGLCE8.5AE3

Opis: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE80A

MXSMCGLCE80A

Opis: TVS DIODE 80V 129V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE8.0A

MXSMCGLCE8.0A

Opis: TVS DIODE 8V 13.6V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE7.0A

MXSMCGLCE7.0A

Opis: TVS DIODE 7VWM 12VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE75AE3

MXSMCGLCE75AE3

Opis: TVS DIODE 75V 121V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMCGLCE6.5A

MXSMCGLCE6.5A

Opis: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.