Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MXSMBJ6.0AE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2040294Obraz MXSMBJ6.0AE3.Microsemi Corporation

MXSMBJ6.0AE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$23.463
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MXSMBJ6.0AE3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MXSMBJ6.0AE3.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    1
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    6.67V
  • Napięcie - podziały (min)
    6V
  • Napięcie - Podział
    SMBJ (DO-214AA)
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    600W
  • Moc - Peak Pulse
    58.3A
  • Polaryzacja
    DO-214AA, SMB
  • Inne nazwy
    1086-14132
    1086-14132-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    MXSMBJ6.0AE3
  • Opis
    TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AA
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    10.3V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MXSMBJ6.0AE3”.
MXSMBJ58CAE3

MXSMBJ58CAE3

Opis: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ6.0CAE3

MXSMBJ6.0CAE3

Opis: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ60CAE3

MXSMBJ60CAE3

Opis: TVS DIODE 60V 96.8V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ6.5AE3

MXSMBJ6.5AE3

Opis: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMBJ60A

MXSMBJ60A

Opis: TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMBJ6.5A

MXSMBJ6.5A

Opis: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMBJ6.0CA

MXSMBJ6.0CA

Opis: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ58AE3

MXSMBJ58AE3

Opis: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMBJ6.0A

MXSMBJ6.0A

Opis: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMBJ60CA

MXSMBJ60CA

Opis: TVS DIODE 60V 96.8V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ6.5CAE3

MXSMBJ6.5CAE3

Opis: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ54AE3

MXSMBJ54AE3

Opis: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMBJ6.5CA

MXSMBJ6.5CA

Opis: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ54CAE3

MXSMBJ54CAE3

Opis: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ54CA

MXSMBJ54CA

Opis: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ54A

MXSMBJ54A

Opis: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMBJ51CAE3

MXSMBJ51CAE3

Opis: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ58A

MXSMBJ58A

Opis: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXSMBJ58CA

MXSMBJ58CA

Opis: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXSMBJ60AE3

MXSMBJ60AE3

Opis: TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.