Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MXP6KE82A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3661226

MXP6KE82A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$17.111
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MXP6KE82A
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    1
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    77.9V
  • Napięcie - podziały (min)
    70.1V
  • Napięcie - Podział
    T-18
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    600W
  • Moc - Peak Pulse
    5.3A
  • Polaryzacja
    T-18, Axial
  • Inne nazwy
    1086-13167
    1086-13167-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    MXP6KE82A
  • Opis
    TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    113V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MXP6KE82A”.
MXP6KE91A

MXP6KE91A

Opis: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP6KE75AE3

MXP6KE75AE3

Opis: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP6KE91AE3

MXP6KE91AE3

Opis: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP6KE9.1CA

MXP6KE9.1CA

Opis: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE8.2AE3

MXP6KE8.2AE3

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP6KE8.2A

MXP6KE8.2A

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP6KE9.1A

MXP6KE9.1A

Opis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP6KE7.5CA

MXP6KE7.5CA

Opis: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE9.1CAE3

MXP6KE9.1CAE3

Opis: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE91CA

MXP6KE91CA

Opis: TVS DIODE 77.8V 125V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE75CA

MXP6KE75CA

Opis: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE8.2CA

MXP6KE8.2CA

Opis: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE75CAE3

MXP6KE75CAE3

Opis: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE82CAE3

MXP6KE82CAE3

Opis: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE8.2CAE3

MXP6KE8.2CAE3

Opis: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE7.5CAE3

MXP6KE7.5CAE3

Opis: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE75A

MXP6KE75A

Opis: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP6KE9.1AE3

MXP6KE9.1AE3

Opis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP6KE82CA

MXP6KE82CA

Opis: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXP6KE82AE3

MXP6KE82AE3

Opis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.