Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MXP4KE8.2A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3231731Obraz MXP4KE8.2A.Microsemi Corporation

MXP4KE8.2A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$20.787
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MXP4KE8.2A
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO41
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    1
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    7.79V
  • Napięcie - podziały (min)
    7.02V
  • Napięcie - Podział
    DO-204AL (DO-41)
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    400W
  • Moc - Peak Pulse
    33A
  • Polaryzacja
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Inne nazwy
    1086-12831
    1086-12831-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    MXP4KE8.2A
  • Opis
    TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO41
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    12.1V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No
MXP4KE75AE3

MXP4KE75AE3

Opis: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE75A

MXP4KE75A

Opis: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE7.5AE3

MXP4KE7.5AE3

Opis: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE9.1CA

MXP4KE9.1CA

Opis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE8.2CA

MXP4KE8.2CA

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE75CA

MXP4KE75CA

Opis: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE82CAE3

MXP4KE82CAE3

Opis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE7.5CA

MXP4KE7.5CA

Opis: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE82AE3

MXP4KE82AE3

Opis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE75CAE3

MXP4KE75CAE3

Opis: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE8.2CAE3

MXP4KE8.2CAE3

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE68CAE3

MXP4KE68CAE3

Opis: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE9.1A

MXP4KE9.1A

Opis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE68CA

MXP4KE68CA

Opis: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE7.5A

MXP4KE7.5A

Opis: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE7.5CAE3

MXP4KE7.5CAE3

Opis: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE9.1AE3

MXP4KE9.1AE3

Opis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE82A

MXP4KE82A

Opis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE82CA

MXP4KE82CA

Opis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
MXP4KE8.2AE3

MXP4KE8.2AE3

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść