Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MXP4KE6.8AE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5815398Obraz MXP4KE6.8AE3.Microsemi Corporation

MXP4KE6.8AE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$20.787
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MXP4KE6.8AE3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO41
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    1
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    6.45V
  • Napięcie - podziały (min)
    5.8V
  • Napięcie - Podział
    DO-204AL (DO-41)
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    400W
  • Moc - Peak Pulse
    38A
  • Polaryzacja
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Inne nazwy
    1086-12812
    1086-12812-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    MXP4KE6.8AE3
  • Opis
    TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO41
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    10.5V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MXP4KE6.8AE3”.
MXP4KE47CAE3

MXP4KE47CAE3

Opis: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE51CAE3

MXP4KE51CAE3

Opis: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE62CA

MXP4KE62CA

Opis: TVS DIODE 53VWM 85VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE56CA

MXP4KE56CA

Opis: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE51AE3

MXP4KE51AE3

Opis: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE51CA

MXP4KE51CA

Opis: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE62CAE3

MXP4KE62CAE3

Opis: TVS DIODE 53VWM 85VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE62A

MXP4KE62A

Opis: TVS DIODE 53VWM 85VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE68A

MXP4KE68A

Opis: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE56AE3

MXP4KE56AE3

Opis: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE68AE3

MXP4KE68AE3

Opis: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE6.8A

MXP4KE6.8A

Opis: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE56A

MXP4KE56A

Opis: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE62AE3

MXP4KE62AE3

Opis: TVS DIODE 53VWM 85VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE6.8CAE3

MXP4KE6.8CAE3

Opis: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE51A

MXP4KE51A

Opis: TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE56CAE3

MXP4KE56CAE3

Opis: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE68CA

MXP4KE68CA

Opis: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE6.8CA

MXP4KE6.8CA

Opis: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXP4KE68CAE3

MXP4KE68CAE3

Opis: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.