Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MXLSMCJLCE80A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4420610Obraz MXLSMCJLCE80A.Microsemi

MXLSMCJLCE80A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$13.483
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MXLSMCJLCE80A
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 80V 129V DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MXLSMCJLCE80A.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    80V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    129V
  • Napięcie - podziały (min)
    88.7V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB (SMCJ)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Inne nazwy
    1086-12305
    1086-12305-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    11.6A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    90pF @ 1MHz
  • Aplikacje
    General Purpose

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MXLSMCJLCE80A”.
MXLSMCJLCE8.5A

MXLSMCJLCE8.5A

Opis: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMLG100A

MXLSMLG100A

Opis: TVS DIODE 100V 162V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMLG100AE3

MXLSMLG100AE3

Opis: TVS DIODE 100V 162V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMLG100CAE3

MXLSMLG100CAE3

Opis: TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCJLCE70A

MXLSMCJLCE70A

Opis: TVS DIODE 70V 113V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJLCE75AE3

MXLSMCJLCE75AE3

Opis: TVS DIODE 75V 121V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJLCE90AE3

MXLSMCJLCE90AE3

Opis: TVS DIODE 90V 146V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJLCE70AE3

MXLSMCJLCE70AE3

Opis: TVS DIODE 70V 113V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJLCE75A

MXLSMCJLCE75A

Opis: TVS DIODE 75V 121V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJLCE80AE3

MXLSMCJLCE80AE3

Opis: TVS DIODE 80V 129V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJLCE8.0AE3

MXLSMCJLCE8.0AE3

Opis: TVS DIODE 8V 13.6V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJLCE9.0AE3

MXLSMCJLCE9.0AE3

Opis: TVS DIODE 9V 15.4V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJLCE9.0A

MXLSMCJLCE9.0A

Opis: TVS DIODE 9V 15.4V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMLG100CA

MXLSMLG100CA

Opis: TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCJLCE8.0A

MXLSMCJLCE8.0A

Opis: TVS DIODE 8V 13.6V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJLCE7.5AE3

MXLSMCJLCE7.5AE3

Opis: TVS DIODE 7.5V 12.9V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJLCE8.5AE3

MXLSMCJLCE8.5AE3

Opis: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJLCE90A

MXLSMCJLCE90A

Opis: TVS DIODE 90V 146V DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMLG10A

MXLSMLG10A

Opis: TVS DIODE 10V 17V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMCJLCE8.0A/TR

MXLSMCJLCE8.0A/TR

Opis: HI REL TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.