Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MXLSMCGLCE48AE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2786322

MXLSMCGLCE48AE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MXLSMCGLCE48AE3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO215AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MXLSMCGLCE48AE3.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    1
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    53.3V
  • Napięcie - podziały (min)
    48V
  • Napięcie - Podział
    SMCG (DO-215AB)
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    1500W (1.5kW)
  • Moc - Peak Pulse
    19.4A
  • Polaryzacja
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Inne nazwy
    1086-12010
    1086-12010-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    MXLSMCGLCE48AE3
  • Opis
    TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO215AB
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    77.4V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    100pF @ 1MHz
  • Kanały dwukierunkowe
    No

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MXLSMCGLCE48AE3”.
MXLSMCGLCE45AE3

MXLSMCGLCE45AE3

Opis: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE6.5AE3

MXLSMCGLCE6.5AE3

Opis: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE40A

MXLSMCGLCE40A

Opis: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE48A

MXLSMCGLCE48A

Opis: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE43AE3

MXLSMCGLCE43AE3

Opis: TVS DIODE 43VWM 69.4VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE54A

MXLSMCGLCE54A

Opis: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE33AE3

MXLSMCGLCE33AE3

Opis: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE60A

MXLSMCGLCE60A

Opis: TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE58A

MXLSMCGLCE58A

Opis: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE36A

MXLSMCGLCE36A

Opis: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE40AE3

MXLSMCGLCE40AE3

Opis: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE60AE3

MXLSMCGLCE60AE3

Opis: TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE43A

MXLSMCGLCE43A

Opis: TVS DIODE 43VWM 69.4VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE36AE3

MXLSMCGLCE36AE3

Opis: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE58AE3

MXLSMCGLCE58AE3

Opis: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE51AE3

MXLSMCGLCE51AE3

Opis: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE45A

MXLSMCGLCE45A

Opis: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE54AE3

MXLSMCGLCE54AE3

Opis: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE51A

MXLSMCGLCE51A

Opis: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MXLSMCGLCE6.5A

MXLSMCGLCE6.5A

Opis: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO215AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.