Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MXLSMBJ6.0CAE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5942594Obraz MXLSMBJ6.0CAE3.Microsemi

MXLSMBJ6.0CAE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$10.809
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MXLSMBJ6.0CAE3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 6V 10.3V DO214AA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MXLSMBJ6.0CAE3.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    6V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    10.3V
  • Napięcie - podziały (min)
    6.67V
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SMBJ (DO-214AA)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    600W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-214AA, SMB
  • Inne nazwy
    1086-11690
    1086-11690-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    58.3A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    1
  • Aplikacje
    General Purpose

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MXLSMBJ6.0CAE3”.
MXLSMBJ6.0CA

MXLSMBJ6.0CA

Opis: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ64A

MXLSMBJ64A

Opis: TVS DIODE 64V 103V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ60CA

MXLSMBJ60CA

Opis: TVS DIODE 60V 96.8V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ54CA

MXLSMBJ54CA

Opis: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ6.5CA

MXLSMBJ6.5CA

Opis: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ58A

MXLSMBJ58A

Opis: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ54AE3

MXLSMBJ54AE3

Opis: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ58AE3

MXLSMBJ58AE3

Opis: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ6.5AE3

MXLSMBJ6.5AE3

Opis: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ64AE3

MXLSMBJ64AE3

Opis: TVS DIODE 64V 103V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ58CA

MXLSMBJ58CA

Opis: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ60A

MXLSMBJ60A

Opis: TVS DIODE 60V 96.8V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ6.5CAE3

MXLSMBJ6.5CAE3

Opis: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ60CAE3

MXLSMBJ60CAE3

Opis: TVS DIODE 60V 96.8V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ6.0AE3

MXLSMBJ6.0AE3

Opis: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ6.5A

MXLSMBJ6.5A

Opis: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ58CAE3

MXLSMBJ58CAE3

Opis: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ54CAE3

MXLSMBJ54CAE3

Opis: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ6.0A

MXLSMBJ6.0A

Opis: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MXLSMBJ60AE3

MXLSMBJ60AE3

Opis: TVS DIODE 60V 96.8V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.