Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MSMCGLCE60AE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3700140

MSMCGLCE60AE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
210+
$5.389
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MSMCGLCE60AE3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 60V 96.8V DO215AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MSMCGLCE60AE3.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    60V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    96.8V
  • Napięcie - podziały (min)
    66.7V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SMCG (DO-215AB)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Inne nazwy
    1086-8468
    1086-8468-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    15.5A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    90pF @ 1MHz
  • Aplikacje
    General Purpose

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MSMCGLCE60AE3”.
MSMCGLCE58A

MSMCGLCE58A

Opis: TVS DIODE 58V 93.6V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE70A

MSMCGLCE70A

Opis: TVS DIODE 70V 113V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE75A

MSMCGLCE75A

Opis: TVS DIODE 75V 121V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE7.0A

MSMCGLCE7.0A

Opis: TVS DIODE 7V 12V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE51A

MSMCGLCE51A

Opis: TVS DIODE 51V 82.4V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE64AE3

MSMCGLCE64AE3

Opis: TVS DIODE 64V 103V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE60A

MSMCGLCE60A

Opis: TVS DIODE 60V 96.8V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE7.0AE3

MSMCGLCE7.0AE3

Opis: TVS DIODE 7V 12V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE54A

MSMCGLCE54A

Opis: TVS DIODE 54V 87.1V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE64A

MSMCGLCE64A

Opis: TVS DIODE 64V 103V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE7.5AE3

MSMCGLCE7.5AE3

Opis: TVS DIODE 7.5V 12.9V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE58AE3

MSMCGLCE58AE3

Opis: TVS DIODE 58V 93.6V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE6.5A

MSMCGLCE6.5A

Opis: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE75AE3

MSMCGLCE75AE3

Opis: TVS DIODE 75V 121V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE6.5AE3

MSMCGLCE6.5AE3

Opis: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE51AE3

MSMCGLCE51AE3

Opis: TVS DIODE 51V 82.4V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE70AE3

MSMCGLCE70AE3

Opis: TVS DIODE 70V 113V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE54AE3

MSMCGLCE54AE3

Opis: TVS DIODE 54V 87.1V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE48AE3

MSMCGLCE48AE3

Opis: TVS DIODE 48V 77.4V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMCGLCE7.5A

MSMCGLCE7.5A

Opis: TVS DIODE 7.5V 12.9V DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.