Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MSMBJ2K3.0E3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2970332Obraz MSMBJ2K3.0E3.Microsemi Corporation

MSMBJ2K3.0E3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MSMBJ2K3.0E3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MSMBJ2K3.0E3.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    1
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    4.3V
  • Napięcie - podziały (min)
    3V
  • Napięcie - Podział
    SMBJ (DO-214AA)
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    2000W (2kW)
  • Moc - Peak Pulse
    10A (8/20µs)
  • Polaryzacja
    DO-214AA, SMB
  • Inne nazwy
    1086-8080
    1086-8080-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    MSMBJ2K3.0E3
  • Opis
    TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    5.4V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MSMBJ2K3.0E3”.
MSMBJ28A

MSMBJ28A

Opis: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ2K5.0E3

MSMBJ2K5.0E3

Opis: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MSMBJ28CAE3

MSMBJ28CAE3

Opis: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ2K3.3E3

MSMBJ2K3.3E3

Opis: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MSMBJ28AE3

MSMBJ28AE3

Opis: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ2K4.5E3

MSMBJ2K4.5E3

Opis: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MSMBJ30A/TR

MSMBJ30A/TR

Opis: TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ2K3.0

MSMBJ2K3.0

Opis: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MSMBJ26CA

MSMBJ26CA

Opis: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ30A

MSMBJ30A

Opis: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ28A/TR

MSMBJ28A/TR

Opis: TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ26CAE3

MSMBJ26CAE3

Opis: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ2K4.5

MSMBJ2K4.5

Opis: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MSMBJ2K4.0

MSMBJ2K4.0

Opis: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MSMBJ28AE3/TR

MSMBJ28AE3/TR

Opis: TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ2K3.3

MSMBJ2K3.3

Opis: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MSMBJ28CA

MSMBJ28CA

Opis: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MSMBJ28CA/TR

MSMBJ28CA/TR

Opis: TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ2K5.0

MSMBJ2K5.0

Opis: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
MSMBJ2K4.0E3

MSMBJ2K4.0E3

Opis: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.