Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MSMBJ11CA
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3927417Obraz MSMBJ11CA.Microsemi Corporation

MSMBJ11CA

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.15
10+
$1.94
25+
$1.732
100+
$1.559
250+
$1.386
500+
$1.213
1000+
$1.005
2500+
$0.936
5000+
$0.901
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MSMBJ11CA
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MSMBJ11CA.pdf
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    12.2V
  • Napięcie - Breakover
    1
  • Napięcie - podziały (min)
    11V
  • Napięcie - Podział
    SMBJ (DO-214AA)
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    600W
  • Moc - Peak Pulse
    33A
  • Polaryzacja
    DO-214AA, SMB
  • Inne nazwy
    1086-8009
    1086-8009-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    13 Weeks
  • Numer części producenta
    MSMBJ11CA
  • Opis
    TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AA
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    18.2V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MSMBJ11CA”.
MSMBJ12A

MSMBJ12A

Opis: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ120A/TR

MSMBJ120A/TR

Opis: TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ120A

MSMBJ120A

Opis: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ12A/TR

MSMBJ12A/TR

Opis: TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ12AE3

MSMBJ12AE3

Opis: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ11CAE3

MSMBJ11CAE3

Opis: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ120CA

MSMBJ120CA

Opis: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ11CA/TR

MSMBJ11CA/TR

Opis: TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ10CA/TR

MSMBJ10CA/TR

Opis: TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ10CA

MSMBJ10CA

Opis: TVS DIODE 10V 17V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ120AE3

MSMBJ120AE3

Opis: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ120CAE3

MSMBJ120CAE3

Opis: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ11AE3

MSMBJ11AE3

Opis: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ110AE3

MSMBJ110AE3

Opis: TVS DIODE 110V 177V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ110A

MSMBJ110A

Opis: TVS DIODE 110V 177V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ11A/TR

MSMBJ11A/TR

Opis: TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ110CAE3

MSMBJ110CAE3

Opis: TVS DIODE 110V 177V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ10CAE3

MSMBJ10CAE3

Opis: TVS DIODE 10V 17V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ11A

MSMBJ11A

Opis: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MSMBJ110CA

MSMBJ110CA

Opis: TVS DIODE 110V 177V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.