Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MASMBJ6.0A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
372294Obraz MASMBJ6.0A.Microsemi

MASMBJ6.0A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
180+
$5.657
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MASMBJ6.0A
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 6V 10.3V DO214AA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MASMBJ6.0A.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    6V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    10.3V
  • Napięcie - podziały (min)
    6.67V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SMBJ (DO-214AA)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    600W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-214AA, SMB
  • Inne nazwy
    1086-5576
    1086-5576-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    58.3A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Aplikacje
    General Purpose

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MASMBJ6.0A”.
MASMBJ54CA

MASMBJ54CA

Opis: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ6.0CA/TR

MASMBJ6.0CA/TR

Opis: HI REL TVS

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ58CA

MASMBJ58CA

Opis: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ60AE3

MASMBJ60AE3

Opis: TVS DIODE 60V 96.8V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ6.0AE3

MASMBJ6.0AE3

Opis: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ6.0CA

MASMBJ6.0CA

Opis: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ54A

MASMBJ54A

Opis: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ54CAE3

MASMBJ54CAE3

Opis: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ6.5A

MASMBJ6.5A

Opis: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ6.5AE3

MASMBJ6.5AE3

Opis: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ60A

MASMBJ60A

Opis: TVS DIODE 60V 96.8V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ58AE3

MASMBJ58AE3

Opis: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ54AE3

MASMBJ54AE3

Opis: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ6.0CAE3

MASMBJ6.0CAE3

Opis: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ58CAE3

MASMBJ58CAE3

Opis: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ51CA

MASMBJ51CA

Opis: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ51CAE3

MASMBJ51CAE3

Opis: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ6.5CA

MASMBJ6.5CA

Opis: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ58A

MASMBJ58A

Opis: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ6.5CAE3

MASMBJ6.5CAE3

Opis: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.