Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MASMBJ18AE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3349369Obraz MASMBJ18AE3.Microsemi

MASMBJ18AE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
180+
$5.657
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MASMBJ18AE3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 18V 29.2V DO214AA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MASMBJ18AE3.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    18V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    29.2V
  • Napięcie - podziały (min)
    20V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SMBJ (DO-214AA)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    600W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-214AA, SMB
  • Inne nazwy
    1086-5499
    1086-5499-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    20.5A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Aplikacje
    General Purpose

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MASMBJ18AE3”.
MASMBJ170AE3

MASMBJ170AE3

Opis: TVS DIODE 170V 275V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ170CAE3

MASMBJ170CAE3

Opis: TVS DIODE 170V 275V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ20CA

MASMBJ20CA

Opis: TVS DIODE 20V 32.4V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ20AE3

MASMBJ20AE3

Opis: TVS DIODE 20V 32.4V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ18CA

MASMBJ18CA

Opis: TVS DIODE 18V 29.2V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ17CAE3

MASMBJ17CAE3

Opis: TVS DIODE 17V 27.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ18A

MASMBJ18A

Opis: TVS DIODE 18V 29.2V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ170A

MASMBJ170A

Opis: TVS DIODE 170V 275V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ22AE3

MASMBJ22AE3

Opis: TVS DIODE 22V 35.5V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ22CA

MASMBJ22CA

Opis: TVS DIODE 22V 35.5V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ16CAE3

MASMBJ16CAE3

Opis: TVS DIODE 16V 26V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ170CA

MASMBJ170CA

Opis: TVS DIODE 170V 275V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ18CAE3

MASMBJ18CAE3

Opis: TVS DIODE 18V 29.2V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ22A

MASMBJ22A

Opis: TVS DIODE 22V 35.5V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ20CAE3

MASMBJ20CAE3

Opis: TVS DIODE 20V 32.4V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ20A

MASMBJ20A

Opis: TVS DIODE 20V 32.4V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ17AE3

MASMBJ17AE3

Opis: TVS DIODE 17V 27.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ17A

MASMBJ17A

Opis: TVS DIODE 17V 27.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ22CAE3

MASMBJ22CAE3

Opis: TVS DIODE 22V 35.5V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MASMBJ17CA

MASMBJ17CA

Opis: TVS DIODE 17V 27.6V DO214AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.