Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MAP6KE8.2A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5413542

MAP6KE8.2A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MAP6KE8.2A
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MAP6KE8.2A.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    7.02V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    12.1V
  • Napięcie - podziały (min)
    7.79V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    T-18
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    600W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    T-18, Axial
  • Inne nazwy
    1086-4605
    1086-4605-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    50A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Aplikacje
    General Purpose

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MAP6KE8.2A”.
MAP6KE75AE3

MAP6KE75AE3

Opis: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE82A

MAP6KE82A

Opis: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE75CAE3

MAP6KE75CAE3

Opis: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE75A

MAP6KE75A

Opis: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE75CA

MAP6KE75CA

Opis: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE9.1A

MAP6KE9.1A

Opis: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE7.5A

MAP6KE7.5A

Opis: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE7.5CAE3

MAP6KE7.5CAE3

Opis: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE9.1CA

MAP6KE9.1CA

Opis: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE8.2CAE3

MAP6KE8.2CAE3

Opis: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE68CA

MAP6KE68CA

Opis: TVS DIODE 58.1V 92V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE9.1AE3

MAP6KE9.1AE3

Opis: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE8.2CA

MAP6KE8.2CA

Opis: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE82CA

MAP6KE82CA

Opis: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE7.5AE3

MAP6KE7.5AE3

Opis: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE7.5CA

MAP6KE7.5CA

Opis: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE8.2AE3

MAP6KE8.2AE3

Opis: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE68CAE3

MAP6KE68CAE3

Opis: TVS DIODE 58.1V 92V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE82AE3

MAP6KE82AE3

Opis: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE82CAE3

MAP6KE82CAE3

Opis: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.