Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MAP6KE30AE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1506699

MAP6KE30AE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MAP6KE30AE3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MAP6KE30AE3.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    25.6V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    41.4V
  • Napięcie - podziały (min)
    28.5V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    T-18
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    600W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    T-18, Axial
  • Inne nazwy
    1086-4554
    1086-4554-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    14.4A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Aplikacje
    General Purpose

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MAP6KE30AE3”.
MAP6KE27AE3

MAP6KE27AE3

Opis: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE24AE3

MAP6KE24AE3

Opis: TVS DIODE 20.5V 33.2V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE30A

MAP6KE30A

Opis: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE36CAE3

MAP6KE36CAE3

Opis: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE30CAE3

MAP6KE30CAE3

Opis: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE36AE3

MAP6KE36AE3

Opis: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE27A

MAP6KE27A

Opis: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE24A

MAP6KE24A

Opis: TVS DIODE 20.5V 33.2V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE27CAE3

MAP6KE27CAE3

Opis: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE36A

MAP6KE36A

Opis: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE30CA

MAP6KE30CA

Opis: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE33A

MAP6KE33A

Opis: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE22CAE3

MAP6KE22CAE3

Opis: TVS DIODE 18.8V 30.6V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE36CA

MAP6KE36CA

Opis: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE33CA

MAP6KE33CA

Opis: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE33CAE3

MAP6KE33CAE3

Opis: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE24CA

MAP6KE24CA

Opis: TVS DIODE 20.5V 33.2V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE27CA

MAP6KE27CA

Opis: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE33AE3

MAP6KE33AE3

Opis: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE24CAE3

MAP6KE24CAE3

Opis: TVS DIODE 20.5V 33.2V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.