Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > MAP6KE10CAE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4924013

MAP6KE10CAE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MAP6KE10CAE3
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 8.55V 14.5V T-18
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    MAP6KE10CAE3.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    8.55V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    14.5V
  • Napięcie - podziały (min)
    9.5V
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    T-18
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    600W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    T-18, Axial
  • Inne nazwy
    1086-4480
    1086-4480-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    41A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    1
  • Aplikacje
    General Purpose

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „MAP6KE10CAE3”.
MAP6KE110A

MAP6KE110A

Opis: TVS DIODE 94V 152V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE100AE3

MAP6KE100AE3

Opis: TVS DIODE 85.5V 137V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE10CA

MAP6KE10CA

Opis: TVS DIODE 8.55V 14.5V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE100CAE3

MAP6KE100CAE3

Opis: TVS DIODE 85.5V 137V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE100CA

MAP6KE100CA

Opis: TVS DIODE 85.5V 137V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE110AE3

MAP6KE110AE3

Opis: TVS DIODE 94V 152V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP5KE90CAE3

MAP5KE90CAE3

Opis: TVS DIODE 90V 146V DO204AL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE110CAE3

MAP6KE110CAE3

Opis: TVS DIODE 94V 152V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE11A

MAP6KE11A

Opis: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP66006

MAP66006

Opis: ANT ASSY CARRIER MOLD BLACK

Producenci: Laird Technologies - Antennas
Na stanie
RFQ
MAP6KE10A

MAP6KE10A

Opis: TVS DIODE 8.55V 14.5V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE100A

MAP6KE100A

Opis: TVS DIODE 85.5V 137V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE11AE3

MAP6KE11AE3

Opis: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE11CA

MAP6KE11CA

Opis: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP5KE90CA

MAP5KE90CA

Opis: TVS DIODE 90V 146V DO204AL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE11CAE3

MAP6KE11CAE3

Opis: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE120AE3

MAP6KE120AE3

Opis: TVS DIODE 102V 165V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE10AE3

MAP6KE10AE3

Opis: TVS DIODE 8.55V 14.5V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE110CA

MAP6KE110CA

Opis: TVS DIODE 94V 152V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
MAP6KE120A

MAP6KE120A

Opis: TVS DIODE 102V 165V T-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.