Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > LSM835J/TR13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
7057294Obraz LSM835J/TR13.Microsemi

LSM835J/TR13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$1.191
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    LSM835J/TR13
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    LSM835J/TR13.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    520mV @ 8A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    35V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Schottky
  • szczegółowy opis
    Diode Schottky 35V 8A Surface Mount DO-214AB
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    2mA @ 35V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    8A
  • Pojemność @ VR F
    -
  • Podstawowy numer części
    LSM835

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „LSM835J/TR13”.
LSM6DSOTR

LSM6DSOTR

Opis: CONSUMER MEMS

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
LSM840GE3/TR13

LSM840GE3/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
LSM845J/TR13

LSM845J/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
LSM7U-2D

LSM7U-2D

Opis: LEVER FOR ROTARY SWITCH

Producenci: Honeywell Sensing and Productivity Solutions
Na stanie
RFQ
LSM845J

LSM845J

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
LSM835JE3/TR13

LSM835JE3/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
LSM835G/TR13

LSM835G/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
LSM840JE3/TR13

LSM840JE3/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
LSM6U

LSM6U

Opis: LEVER FOR ROTARY SWITCH

Producenci: Honeywell Sensing and Productivity Solutions
Na stanie
RFQ
LSM7N-1A

LSM7N-1A

Opis: SWITCH SNAP ACTION DPDT 10A 120V

Producenci: Honeywell Sensing and Productivity Solutions
Na stanie
RFQ
LSM840J/TR13

LSM840J/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
LSM845GE3/TR13

LSM845GE3/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
LSM840G/TR13

LSM840G/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
LSM845G/TR13

LSM845G/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
LSM7N

LSM7N

Opis: SWITCH SNAP ACTION DPDT 10A 120V

Producenci: Honeywell Sensing and Productivity Solutions
Na stanie
RFQ
LSM7N-1D

LSM7N-1D

Opis: LEVER FOR ROTARY SWITCH

Producenci: Honeywell Sensing and Productivity Solutions
Na stanie
RFQ
LSM845JE3

LSM845JE3

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
LSM7N-1B

LSM7N-1B

Opis: SWITCH SNAP ACTION DPDT 10A 120V

Producenci: Honeywell Sensing and Productivity Solutions
Na stanie
RFQ
LSM835GE3/TR13

LSM835GE3/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
LSM7U

LSM7U

Opis: LEVER FOR ROTARY SWITCH

Producenci: Honeywell Sensing and Productivity Solutions
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.