Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JANTXV1N6104US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2069723Obraz JANTXV1N6104US.Microsemi

JANTXV1N6104US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JANTXV1N6104US
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 6.2V 12.71V B SQ-MELF
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JANTXV1N6104US.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    6.2V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    12.71V
  • Napięcie - podziały (min)
    7.4V
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    B, SQ-MELF
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    500W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, B
  • Inne nazwy
    1086-2858
    1086-2858-MIL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    39.24A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    1
  • Aplikacje
    General Purpose

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JANTXV1N6104US”.
JANTXV1N6106

JANTXV1N6106

Opis: TVS DIODE 7.6V 15.23V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6081

JANTXV1N6081

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6105AUS

JANTXV1N6105AUS

Opis: TVS DIODE 6.9V 13.4V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6103A

JANTXV1N6103A

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.2V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6105US

JANTXV1N6105US

Opis: TVS DIODE 6.9V 14.07V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6107A

JANTXV1N6107A

Opis: TVS DIODE 8.4V 15.6V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6104A

JANTXV1N6104A

Opis: TVS DIODE 6.2V 12.1V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6100

JANTXV1N6100

Opis: TVS DIODE 14CFLATPACK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6106US

JANTXV1N6106US

Opis: TVS DIODE 7.6V 15.23V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6103US

JANTXV1N6103US

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.76V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6106A

JANTXV1N6106A

Opis: TVS DIODE 7.6V 14.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6104

JANTXV1N6104

Opis: TVS DIODE 6.2V 12.71V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6104AUS

JANTXV1N6104AUS

Opis: TVS DIODE 6.2V 12.1V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6101

JANTXV1N6101

Opis: TVS DIODE 16CDIP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6105

JANTXV1N6105

Opis: TVS DIODE 6.9V 14.07V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6107

JANTXV1N6107

Opis: TVS DIODE 8.4V 16.38V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6105A

JANTXV1N6105A

Opis: TVS DIODE 6.9V 13.4V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6103

JANTXV1N6103

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.76V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6106AUS

JANTXV1N6106AUS

Opis: TVS DIODE 7.6V 14.5V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N6103AUS

JANTXV1N6103AUS

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.2V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.