Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JANTXV1N5612
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5788275

JANTXV1N5612

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JANTXV1N5612
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JANTXV1N5612.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    49V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    78.5V
  • Napięcie - podziały (min)
    54V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    G, Axial
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/434
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    G, Axial
  • Inne nazwy
    1086-15771
    1086-15771-MIL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    19A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Aplikacje
    General Purpose

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JANTXV1N5612”.
JANTXV1N5614

JANTXV1N5614

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5617

JANTXV1N5617

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5616US

JANTXV1N5616US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5614US

JANTXV1N5614US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5615

JANTXV1N5615

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5613

JANTXV1N5613

Opis: TVS DIODE 175V 265V G AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5615US

JANTXV1N5615US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5555

JANTXV1N5555

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5556

JANTXV1N5556

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5611

JANTXV1N5611

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5552US

JANTXV1N5552US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5554

JANTXV1N5554

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5553

JANTXV1N5553

Opis: DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5551US

JANTXV1N5551US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5554US

JANTXV1N5554US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5616

JANTXV1N5616

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5618

JANTXV1N5618

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5552

JANTXV1N5552

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5617US

JANTXV1N5617US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A A-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTXV1N5558

JANTXV1N5558

Opis: TVS DIODE 175V 265V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.