Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > JANSR2N7381
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
60662

JANSR2N7381

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JANSR2N7381
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
    JANSR2N7381.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-257
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/614
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    490 mOhm @ 9.4A, 12V
  • Strata mocy (max)
    2W (Ta), 75W (Tc)
  • Package / Case
    TO-257-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    50nC @ 12V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    12V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    200V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 200V 9.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    9.4A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JANSR2N7381”.
JANSR2N5153

JANSR2N5153

Opis: RH POWER BJT

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANSR2N7269

JANSR2N7269

Opis: N CHANNEL MOSFET TO-254

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANSR2N7380

JANSR2N7380

Opis: N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANSR2N7262U

JANSR2N7262U

Opis: N CHANNEL MOSFET LCC-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANSR2N5152U3

JANSR2N5152U3

Opis: RH POWER BJT

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANSR2N7261U

JANSR2N7261U

Opis: N CHANNEL MOSFET LCC-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N1202A

JANTX1N1202A

Opis: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JANSR2N3810U

JANSR2N3810U

Opis: RH SMALL-SIGNAL BJT

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANSR2N7268U

JANSR2N7268U

Opis: N CHANNEL MOSFET SMD-1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N1184R

JANTX1N1184R

Opis: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JANTX1N1190R

JANTX1N1190R

Opis: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANSR2N7269U

JANSR2N7269U

Opis: N CHANNEL MOSFET SMD-1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N1190

JANTX1N1190

Opis: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANSR2N7389U

JANSR2N7389U

Opis: P CHANNEL MOSFET LCC-18

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N1202AR

JANTX1N1202AR

Opis: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JANSR2N7389

JANSR2N7389

Opis: P CHANNEL MOSFET TO-39

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N1188R

JANTX1N1188R

Opis: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JANSR2N5153U3

JANSR2N5153U3

Opis: RH POWER BJT

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N1186

JANTX1N1186

Opis: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JANTX1N1186R

JANTX1N1186R

Opis: SILICON RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.