Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N6642US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1284554Obraz JAN1N6642US.Microsemi

JAN1N6642US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
114+
$8.995
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6642US
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N6642US.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.2V @ 100mA
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    75V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-5D
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/578
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    5ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, D
  • Inne nazwy
    1086-2310
    1086-2310-MIL
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 75V 300mA Surface Mount D-5D
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    500nA @ 75V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    300mA
  • Pojemność @ VR F
    40pF @ 0V, 1MHz

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N6642US”.
JAN1N6660CAT1

JAN1N6660CAT1

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6642UB2

JAN1N6642UB2

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6642UB2R

JAN1N6642UB2R

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6643US

JAN1N6643US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6642UBCA

JAN1N6642UBCA

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6661US

JAN1N6661US

Opis: DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6642UB

JAN1N6642UB

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6641

JAN1N6641

Opis: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6642

JAN1N6642

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6660DT1

JAN1N6660DT1

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6643

JAN1N6643

Opis: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6677UR-1

JAN1N6677UR-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6660

JAN1N6660

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6674R

JAN1N6674R

Opis: DIODE GEN PURP 500V 15A D5D

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6641US

JAN1N6641US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6642U

JAN1N6642U

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6660CCT1

JAN1N6660CCT1

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6642UBCC

JAN1N6642UBCC

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6643US

JAN1N6643US

Opis: .3A ULTRA FAST 75V

Producenci: Semtech
Na stanie
RFQ
JAN1N6642UBD

JAN1N6642UBD

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.