Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N6631U
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4558735

JAN1N6631U

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6631U
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.6V @ 1.4A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1000V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-5B
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    60ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, E
  • Inne nazwy
    1086-19999
    1086-19999-MIL
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 1000V 1.4A Surface Mount D-5B
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    4µA @ 1000V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1.4A
  • Pojemność @ VR F
    -
JAN1N6640US

JAN1N6640US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6640

JAN1N6640

Opis: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Opis: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6641

JAN1N6641

Opis: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6639

JAN1N6639

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6638U

JAN1N6638U

Opis: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6639US

JAN1N6639US

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6641US

JAN1N6641US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6631

JAN1N6631

Opis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6638US

JAN1N6638US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6638

JAN1N6638

Opis: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Opis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Opis: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6629

JAN1N6629

Opis: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6628

JAN1N6628

Opis: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6628US

JAN1N6628US

Opis: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6629US

JAN1N6629US

Opis: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6630

JAN1N6630

Opis: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść