Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N6625US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4328187

JAN1N6625US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$17.017
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6625US
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.75V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-5A
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    60ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, A
  • Inne nazwy
    1086-19977
    1086-19977-MIL
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 1100V 1A Surface Mount D-5A
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 1100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    10pF @ 10V, 1MHz
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Opis: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6626

JAN1N6626

Opis: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6624

JAN1N6624

Opis: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Opis: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6623US

JAN1N6623US

Opis: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6628US

JAN1N6628US

Opis: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6627

JAN1N6627

Opis: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6623

JAN1N6623

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6625U

JAN1N6625U

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Opis: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6624US

JAN1N6624US

Opis: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6622US

JAN1N6622US

Opis: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6625

JAN1N6625

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6629

JAN1N6629

Opis: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6628

JAN1N6628

Opis: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść