Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JAN1N6168A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4015052Obraz JAN1N6168A.Microsemi Corporation

JAN1N6168A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6168A
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 91.2VWM CPKG AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    114V
  • Napięcie - Breakover
    1
  • Napięcie - podziały (min)
    91.2V
  • Napięcie - Podział
    C, Axial
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    1500W (1.5kW)
  • Moc - Peak Pulse
    9.1A
  • Polaryzacja
    G, Axial
  • Inne nazwy
    1086-2260
    1086-2260-MIL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    JAN1N6168A
  • Opis
    TVS DIODE 91.2VWM CPKG AXIAL
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    165.1V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No
JAN1N6167AUS

JAN1N6167AUS

Opis: TVS DIODE 86.6V 151.3V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6167US

JAN1N6167US

Opis: TVS DIODE 86.6V 158.87V SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6168US

JAN1N6168US

Opis: TVS DIODE 91.2V 173.36V SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6170A

JAN1N6170A

Opis: TVS DIODE 114V 206.3V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6169AUS

JAN1N6169AUS

Opis: TVS DIODE 98.8VWM 178.8VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6167

JAN1N6167

Opis: TVS DIODE 86.6V 158.87V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6166US

JAN1N6166US

Opis: TVS DIODE 76V 144.48V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6169

JAN1N6169

Opis: TVS DIODE 98.8V 187.74V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6166AUS

JAN1N6166AUS

Opis: TVS DIODE 76V 137.6V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6168AUS

JAN1N6168AUS

Opis: TVS DIODE 91.2V 165.1V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6170

JAN1N6170

Opis: TVS DIODE 114V 216.62V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6169A

JAN1N6169A

Opis: TVS DIODE 98.8VWM CPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6165US

JAN1N6165US

Opis: TVS DIODE 69.2V 131.36V SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6170AUS

JAN1N6170AUS

Opis: TVS DIODE 114V 206.3V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6167A

JAN1N6167A

Opis: TVS DIODE 86.6VWM CPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6170US

JAN1N6170US

Opis: TVS DIODE 114V 216.62V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6168

JAN1N6168

Opis: TVS DIODE 91.2V 173.36V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6166

JAN1N6166

Opis: TVS DIODE 76V 144.48V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6169US

JAN1N6169US

Opis: TVS DIODE 98.8V 187.74V SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6166A

JAN1N6166A

Opis: TVS DIODE 76VWM CPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść