Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JAN1N6140
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3005100

JAN1N6140

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$25.711
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6140
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 6.2V 12.71V C AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N6140.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    6.2V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    12.71V
  • Napięcie - podziały (min)
    7.4V
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    C, Axial
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    Axial
  • Inne nazwy
    1086-19570
    1086-19570-MIL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    117.8A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    1
  • Aplikacje
    General Purpose

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N6140”.
JAN1N6140US

JAN1N6140US

Opis: TVS DIODE 6.2V 12.71V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6138

JAN1N6138

Opis: TVS DIODE 5.2V 11.03V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6138A

JAN1N6138A

Opis: TVS DIODE 5.2V 10.5V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6142

JAN1N6142

Opis: TVS DIODE 7.6V 15.23V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6139US

JAN1N6139US

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.76V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6138US

JAN1N6138US

Opis: TVS DIODE 5.2V 11.03V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6141

JAN1N6141

Opis: TVS DIODE 6.9V 14.07V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6140AUS

JAN1N6140AUS

Opis: TVS DIODE 6.2V 12.1V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6142A

JAN1N6142A

Opis: TVS DIODE 7.6V 14.5V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6137AUS

JAN1N6137AUS

Opis: TVS DIODE 152V 273V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6139A

JAN1N6139A

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.2V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6137US

JAN1N6137US

Opis: TVS DIODE 152V 286.65V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6139AUS

JAN1N6139AUS

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.2V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6141US

JAN1N6141US

Opis: TVS DIODE 6.9V 14.07V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6139

JAN1N6139

Opis: TVS DIODE 5.7V 11.76V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6141A

JAN1N6141A

Opis: TVS DIODE 6.9V 13.4V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6142AUS

JAN1N6142AUS

Opis: TVS DIODE

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6141AUS

JAN1N6141AUS

Opis: TVS DIODE 6.9V 13.4V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6138AUS

JAN1N6138AUS

Opis: TVS DIODE 5.2V 10.5V C SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6140A

JAN1N6140A

Opis: TVS DIODE 6.2V 12.1V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.