Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JAN1N6127
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5351583

JAN1N6127

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$15.836
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6127
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 56V 108.26V AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    56V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    108.26V
  • Napięcie - podziały (min)
    67.74V
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Axial
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    500W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    B, Axial
  • Inne nazwy
    1086-19506
    1086-19506-MIL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    4.56A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    1
  • Aplikacje
    General Purpose
JAN1N6129AUS

JAN1N6129AUS

Opis: TVS DIODE 69.2V 125.1V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6126AUS

JAN1N6126AUS

Opis: TVS DIODE 51.7V 97.1V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6127US

JAN1N6127US

Opis: TVS DIODE 56V 108.26V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6126US

JAN1N6126US

Opis: TVS DIODE 51.7V 101.96V SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6128A

JAN1N6128A

Opis: TVS DIODE 62.2VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6125US

JAN1N6125US

Opis: TVS DIODE 47.1V 89.57V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6125A

JAN1N6125A

Opis: TVS DIODE 47.1VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6128US

JAN1N6128US

Opis: TVS DIODE 62.2VWM BPKG SMD

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6126

JAN1N6126

Opis: TVS DIODE 51.7V 101.96V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6125AUS

JAN1N6125AUS

Opis: TVS DIODE 47.1V 85.3V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6128

JAN1N6128

Opis: TVS DIODE 62.2V 118.44V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6129A

JAN1N6129A

Opis: TVS DIODE 69.2V 125.1V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6126A

JAN1N6126A

Opis: TVS DIODE 51.7VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6125

JAN1N6125

Opis: TVS DIODE 47.1V 89.57V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6128AUS

JAN1N6128AUS

Opis: TVS DIODE 62.2V 112.8V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6129

JAN1N6129

Opis: TVS DIODE 69.2V 131.36V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6124US

JAN1N6124US

Opis: TVS DIODE 42.6V 80.85V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6127AUS

JAN1N6127AUS

Opis: TVS DIODE 56V 103.1V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6127A

JAN1N6127A

Opis: TVS DIODE 56VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6124AUS

JAN1N6124AUS

Opis: TVS DIODE 42.6V 77V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść