Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JAN1N6119AUS
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5957667

JAN1N6119AUS

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$17.447
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6119AUS
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 27.4V 49.9V B SQ-MELF
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    27.4V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    49.9V
  • Napięcie - podziały (min)
    34.2V
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    B, SQ-MELF
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    500W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, B
  • Inne nazwy
    1086-2194
    1086-2194-MIL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    10A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    1
  • Aplikacje
    General Purpose
JAN1N6117A

JAN1N6117A

Opis: TVS DIODE 22.8V 41.6V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6120

JAN1N6120

Opis: TVS DIODE 29.7V 56.28V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6118US

JAN1N6118US

Opis: TVS DIODE 25.1V 47.99V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6121

JAN1N6121

Opis: TVS DIODE 32.7V 62.06V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6119US

JAN1N6119US

Opis: TVS DIODE 27.4V 52.4V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6122

JAN1N6122

Opis: TVS DIODE 35.8V 67.83V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6120US

JAN1N6120US

Opis: TVS DIODE 29.7V 56.28V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6117US

JAN1N6117US

Opis: TVS DIODE 22.8V 43.68V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6121US

JAN1N6121US

Opis: TVS DIODE 32.7V 62.06V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6120AUS

JAN1N6120AUS

Opis: TVS DIODE 29.7V 53.6V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6118

JAN1N6118

Opis: TVS DIODE 25.1V 47.99V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6118A

JAN1N6118A

Opis: TVS DIODE 25.1V 45.7V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6121AUS

JAN1N6121AUS

Opis: TVS DIODE 32.7V 59.1V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6117AUS

JAN1N6117AUS

Opis: TVS DIODE 22.8V 41.6V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6119A

JAN1N6119A

Opis: TVS DIODE 27.4V 49.9V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6118AUS

JAN1N6118AUS

Opis: TVS DIODE 25.1V 45.7V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6121A

JAN1N6121A

Opis: TVS DIODE 32.7V 59.1V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6117

JAN1N6117

Opis: TVS DIODE 22.8V 43.68V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6119

JAN1N6119

Opis: TVS DIODE 27.4V 52.4V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6120A

JAN1N6120A

Opis: TVS DIODE 29.7V 53.6V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść