Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JAN1N6110
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5463386

JAN1N6110

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$15.855
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6110
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 11.4V 22.05V AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    11.4V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    22.05V
  • Napięcie - podziały (min)
    13.54V
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Axial
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    500W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    B, Axial
  • Inne nazwy
    1086-2157
    1086-2157-MIL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    22.61A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    1
  • Aplikacje
    General Purpose
JAN1N6109AUS

JAN1N6109AUS

Opis: TVS DIODE 9.9V 18.2V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6112AUS

JAN1N6112AUS

Opis: TVS DIODE 13.7V 25.1V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6108

JAN1N6108

Opis: TVS DIODE 9.1V 17.75V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6108AUS

JAN1N6108AUS

Opis: TVS DIODE 9.1V 16.9V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6111AUS

JAN1N6111AUS

Opis: TVS DIODE 12.2V 22.3V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6108US

JAN1N6108US

Opis: TVS DIODE 9.1V 17.75V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6107US

JAN1N6107US

Opis: TVS DIODE 8.4V 16.38V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6111

JAN1N6111

Opis: TVS DIODE 12.2V 23.42V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6110A

JAN1N6110A

Opis: TVS DIODE 11.4V 21V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6110AUS

JAN1N6110AUS

Opis: TVS DIODE 11.4V 21V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6109A

JAN1N6109A

Opis: TVS DIODE 9.9V 18.2V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6111A

JAN1N6111A

Opis: TVS DIODE 12.2V 22.3V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6112

JAN1N6112

Opis: TVS DIODE 13.7V 26.36V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6110US

JAN1N6110US

Opis: TVS DIODE 11.4V 22.05V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6112A

JAN1N6112A

Opis: TVS DIODE 13.7V 25.1V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6107AUS

JAN1N6107AUS

Opis: TVS DIODE 8.4V 15.6V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6109US

JAN1N6109US

Opis: TVS DIODE 9.9V 19.11V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6111US

JAN1N6111US

Opis: TVS DIODE 12.2V 23.42V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6109

JAN1N6109

Opis: TVS DIODE 9.9V 19.11V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6108A

JAN1N6108A

Opis: TVS DIODE 9.1V 16.9V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść