Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > HSM830G/TR13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1440072

HSM830G/TR13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$1.764
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    HSM830G/TR13
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE SCHOTTKY 30V 8A DO215AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    HSM830G/TR13.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    620mV @ 8A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    30V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-215AB
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Schottky
  • szczegółowy opis
    Diode Schottky 30V 8A Surface Mount DO-215AB
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    250µA @ 30V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    8A
  • Pojemność @ VR F
    -
  • Podstawowy numer części
    HSM830

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „HSM830G/TR13”.
HSM835JE3/TR13

HSM835JE3/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
HSM840G/TR13

HSM840G/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
HSM835GE3/TR13

HSM835GE3/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
HSM64

HSM64

Opis: CAP GLASS TRIMMER 2-64PF 125V SM

Producenci: Knowles Voltronics
Na stanie
RFQ
HSM8100G/TR13

HSM8100G/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
HSM8100GE3/TR13

HSM8100GE3/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
HSM830J/TR13

HSM830J/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 8A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
HSM840GE3/TR13

HSM840GE3/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
HSM825JE3/TR13

HSM825JE3/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 25V 8A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
HSM8100J/TR13

HSM8100J/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
HSM830GE3/TR13

HSM830GE3/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 8A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
HSM840J/TR13

HSM840J/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
HSM825J/TR13

HSM825J/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 25V 8A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
HSM830JE3/TR13

HSM830JE3/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 8A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
HSM613-125.0M

HSM613-125.0M

Opis: OSCILLATOR XO 125MHZ HCMOS SMD

Producenci: Connor-Winfield
Na stanie
RFQ
HSM825GE3/TR13

HSM825GE3/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 25V 8A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
HSM835G/TR13

HSM835G/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
HSM8100JE3/TR13

HSM8100JE3/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
HSM825G/TR13

HSM825G/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 25V 8A DO215AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
HSM835J/TR13

HSM835J/TR13

Opis: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.