Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APTM100VDA35T3G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6475772

APTM100VDA35T3G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APTM100VDA35T3G
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SP3
  • Seria
    POWER MOS 7®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    420 mOhm @ 11A, 10V
  • Moc - Max
    390W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SP3
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    5200pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    186nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1000V (1kV)
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    22A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APTM100VDA35T3G”.
APTM10DHM05G

APTM10DHM05G

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM10DHM09TG

APTM10DHM09TG

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100UM65DAG

APTM100UM65DAG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100UM65SAG

APTM100UM65SAG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM10DAM02G

APTM10DAM02G

Opis: MOSFET N-CH 100V 495A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM10DHM09T3G

APTM10DHM09T3G

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM10AM05FTG

APTM10AM05FTG

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100UM45FAG

APTM100UM45FAG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM10DDAM09T3G

APTM10DDAM09T3G

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100U13SG

APTM100U13SG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 65A J3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM10DAM05TG

APTM10DAM05TG

Opis: MOSFET N-CH 100V 278A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM10DDAM19T3G

APTM10DDAM19T3G

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100UM65SCAVG

APTM100UM65SCAVG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM10AM02FG

APTM10AM02FG

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100UM60FAG

APTM100UM60FAG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 129A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100TDU35PG

APTM100TDU35PG

Opis: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100TA35SCTPG

APTM100TA35SCTPG

Opis: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100TA35FPG

APTM100TA35FPG

Opis: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM10DSKM09T3G

APTM10DSKM09T3G

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTM100UM45DAG

APTM100UM45DAG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.