Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - moduły > APT60GF120JRDQ3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6195971Obraz APT60GF120JRDQ3.Microsemi

APT60GF120JRDQ3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$83.05
10+
$77.862
30+
$74.228
100+
$70.076
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT60GF120JRDQ3
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 149A 625W SOT227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    3V @ 15V, 100A
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ISOTOP®
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    625W
  • Package / Case
    ISOTOP
  • Inne nazwy
    APT60GF120JRDQ3MI
    APT60GF120JRDQ3MI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistor NTC
    No
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce
    7.08nF @ 25V
  • Wkład
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • szczegółowy opis
    IGBT Module NPT Single 1200V 149A 625W Chassis Mount ISOTOP®
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    350µA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    149A
  • Konfiguracja
    Single
APT60M75JFLL

APT60M75JFLL

Opis: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60DQ100LCTG

APT60DQ100LCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60DS04HJ

APT60DS04HJ

Opis: MOD DIODE 400V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60M75JVFR

APT60M75JVFR

Opis: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60M75JLL

APT60M75JLL

Opis: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60DQ100BG

APT60DQ100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60DQ60BG

APT60DQ60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60GT60JR

APT60GT60JR

Opis: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60GF60JU2

APT60GF60JU2

Opis: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60DS20HJ

APT60DS20HJ

Opis: MOD DIODE 200V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60M60JFLL

APT60M60JFLL

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60M60JLL

APT60M60JLL

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60DQ60BCTG

APT60DQ60BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 60A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60GT60BRG

APT60GT60BRG

Opis: IGBT 600V 100A 500W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60DS10HJ

APT60DS10HJ

Opis: MOD DIODE 100V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60DQ120BG

APT60DQ120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT60GF60JU3

APT60GF60JU3

Opis: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60GA60JD60

APT60GA60JD60

Opis: IGBT 600V 112A 356W SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60DQ120LCTG

APT60DQ120LCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1200V 60A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60M75JVR

APT60M75JVR

Opis: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść